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SSM6J214FE(TE85L,F东芝TOSHIBA产品规格书pdf

发布时间：2022-10-16 10:51:00 浏览次数：1569

TOSHIBA_SSM6J214FE(TE85L,F产品规格书pdf【产品实拍图】
TOSHIBA_SSM6J214FE(TE85L,F产品规格书产品实拍图
TOSHIBA_SSM6J214FE(TE85L,F产品规格书pdf【参数描述】

产品属性属性值
制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-563-6
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:3.6 A
Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-栅极电荷:7.9 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:700 mW
通道模式:Enhancement
商标名:U-MOSVI
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
商标:Toshiba
配置:Single
正向跨导 - 最小值:5.7 S
高度:0.55 mm
长度:1.6 mm
产品类型:MOSFET
系列:SSM6J214FE
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:75 ns
典型接通延迟时间:15 ns
宽度:1.2 mm
单位重量:3 mg

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