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TK5A50D(STA4,Q,M)东芝产品规格书pdf

发布时间：2022-10-04 13:55:56 浏览次数：1579

TOSHIBA_TK5A50D(STA4,Q,M)产品规格书pdf【产品实拍图】
TOSHIBA_TK5A50D(STA4,Q,M)产品规格书产品实拍图
TOSHIBA_TK5A50D(STA4,Q,M)产品规格书pdf【参数描述】
参数 参数值
商品目录 通用MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
Vgs(th) 4.4V @ 1mA
Vgs(最大值) ±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 490 pF @ 25 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11 nC @ 10 V
产品状态 在售
封装/外壳 TO-220SIS
工作温度 150°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Id 5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V

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